上证报中国证券网讯（记者 刘礼文）3月30日晚间，中微公司披露2025年年度报告。报告显示，公司2025年全年实现营业收入123.85亿元，同比增长36.62%，在过去十三年公司营业收入年均增长保持高于35%的基础上，经营业绩再创历史新高。
中微公司综合营运管理水平持续精进。2025年全年公司保持100%的按时交付率，设备缺陷率低于国际领先厂商，综合竞争优势持续强化与提升。公司人均年销售已超450万元，远高于国内半导体设备公司平均水平，年销售与劳动力成本的比值更是超过国际领先设备公司两倍以上。
业绩再攀新高 薄膜设备放量成为增长新引擎
据披露，中微公司2025年营业收入跨过123亿元关口，较上年净增33.2亿元。其中，刻蚀设备业务继续发挥压舱石作用。截至2025年底，公司刻蚀设备反应台全球出货量超过6800台，应用范围覆盖65纳米至3纳米及更先进制程的各类刻蚀场景，在国内主要客户芯片生产线的市占率持续稳步提升。
值得关注的是，公司自主研发的CCP高能等离子体刻蚀设备和ICP低能等离子体刻蚀设备已实现对95%以上的300多种刻蚀应用需求的覆盖。其中，60比1超高深宽比刻蚀设备在存储器生产线上实现稳定可靠的大批量生产，使中微公司成为国内极少数能够全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求的供应商。此外，ICP双台机的重复性和匹配精度达到皮米级控制水平，核心工艺指标再攀新高；新开发的晶圆边缘刻蚀设备和金属刻蚀机也顺利进入客户端生产线验证。
薄膜沉积设备业务在2025年迎来爆发式增长，全年营收同比增长约224.23%，成为驱动中微公司业绩增长的重要新引擎。记者了解到，近年来中微公司将各类薄膜沉积设备的开发和导入市场作为聚焦重点，以行业领先的研发速度，在短时间内成功开发出十几种导体和介质薄膜核心设备，多款产品实现技术与市场的双重突破。
研发投入持续加码 高端设备布局取得关键突破
半导体设备的技术水平直接决定了芯片制造的先进程度。年报显示，2025年中微公司研发投入达37.44亿元，同比增长52.8%，占营业收入比重超过30%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均水平。高强度的研发投入推动产品迭代速度显著提升，新设备开发周期从传统的3至5年缩短至2年以内。
据披露，目前中微公司正在推进六大类、超20款新设备的研发工作，涵盖新一代CCP高能等离子体刻蚀设备、ICP低能等离子体刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、LPCVD及ALD薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备、新一代等离子体源的PECVD设备、CuBS PVD超多反应腔集成设备、电子束量检测设备、大平板设备以及多款新型MOCVD设备等。
中微公司在湿法设备上也开始推动新的布局。2025年底，中微公司发起对杭州众硅的收购，双方将形成显著的战略协同，亦标志着中微公司向“集团化”和“平台化”迈出关键的一步。
通过自主研发与外延并购相结合，中微公司正加速将前道集成电路关键领域设备的覆盖度从目前的约30%提升至未来五到十年的60%以上。在先进封装设备领域，公司的布局也在全面铺开，包括刻蚀、薄膜、CMP、镀铜、量检测和键合设备等，中微公司将覆盖70%以上的关键先进封装设备。
在泛半导体领域，中微公司持续深耕，氮化镓基MOCVD设备的行业领先地位持续稳固，接连开发出碳化硅和氮化镓功率器件用MOCVD设备、Micro-LED所需的蓝绿光和红黄光等四款新型MOCVD设备，并陆续推向市场，进一步丰富了MOCVD设备的产品体系。
尤为值得一提的是，公司在大平板设备领域实现了从无到有的跨越式突破，仅用18个月时间成功开发出OLED 8.6代线大平板PECVD设备，达到客户生产线±5%薄膜厚度均匀性要求，顺利进入大生产线认证，为我国新型显示技术领域的设备自主可控贡献力量。
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